中国光刻机突破到哪一步了? 德国专家“比预期快了至少5年

“即使公开图纸，你们中国人也永远不可能造出EUV光刻机”。

三年前，ASML公司的CEO就曾傲慢断言，这句话也深深刺痛了中国工程师们！说起芯片这事儿，相信每一位科技工作者心里都憋了一口气。从2019年开始，老美就利用芯片技术优势，多次对中国芯进行打压和制裁，屈辱、愤怒且无奈，各种情绪交织，令人难受至极。

但正是因为有这些恶语的激励，中国科学家们迎难而上，专注技术研发，终于在光刻机领域取得了一定的成果。除了科技企业外，国内高校、科研机构也加入这场恶战，有技术给技术，有钱给钱，不夸张的说，举国之力就是要攻克芯片难题。

而哈工大作为国内高校的代表，也交出了高分答卷。早在2022年，哈工大科研团队就已经整出了光源样机，且时隔一年，又完成了原型机的研发。而在2024年上半年则快速通过了关键测试。虽然目前咱们还没能研发出EUV光刻机，但哈工大的进度已经相当快了，未来可期！

具体的，2022年秋，哈工大团队首次点亮DPP（放电等离子体）光源样机时，现场工程师们红着眼眶拍下的视频，至今仍在半导体行业群里流传。当时那束光的功率仅能满足原理验证，但已经让项目负责人李教授在汇报时声音发抖：“我们终于有了自己的EUV种子。”

选择DPP而非国际主流的LPP（激光等离子体）路线，是典型的中国式智慧。LPP需要高能二氧化碳激光器，相关技术被锁死在德国通快手里，中国想要完成超越，很难走通，这需要耗费大量的时间、精力和资金，中国耗不起。而DPP就像电动车对燃油车的弯道超车，虽然起步难，但能绕过专利墙，属于换道超车！

到2024年初，与国仪超精密集团共建的11亿元产线开始试运行，这台“庞然大物”已能稳定输出30瓦功率。尽管距离ASML的250瓦商用标准仍有差距，但足以支撑原型机通过关键测试。德国蔡司工程师私下交流时也承认了：“中国人解决电极腐蚀的速度，比我们预估的快了至少五年。”

不止哈工大，还有清华大学、北境航空航天大学等也在努力钻研，清华大学薛其坤团队正在尝试更颠覆的路径——稳态微聚束（SSMB）光源。这种同步辐射光源理论上能提供更高功率，且完全避开传统EUV的技术路线。

而在北京航空航天大学则在研究“三元计算芯片的架构图”。如果中国继续和西方在二进制赛道死磕？胜算并不大，但如果专注于三角形电路设计，或许有更大的机会。毕竟在触控和航天领域，我们的三值逻辑芯片能耗只有传统芯片的40%。

这些看似分散的技术突破，正构成中国半导体突围的“组合拳”。就像当年航天领域从长征五号失利到空间站建成，芯片产业的突围注定是场多线作战的持久战。相信在教、研、企的三强联手下，我们必定可以创造奇迹。