消息称三星电子计划明年 3 月启动第十代 4xx 层 NAND 量产线建设

IT之家7月2日消息，韩媒ETNews当地时间昨日报道称，三星计划明年三月启动其下一代3DNAND闪存——第十代V-NAND的首条量产线建设，有望当年10月进入全面量产阶段。

据悉该产线的建设计划为2026年3月开始设备安装，上半年建成产线，此后进行试生产，在稳定后转入正式量产。这一时间表晚于此前部分人士的预期。

三星电子目前最先进的NAND工艺为286层的V9，而下代V10的堆叠层数将暴涨到400层以上（IT之家注：据悉为430层左右），届时有望成为最高堆叠闪存，其还引入了超低温蚀刻、混合键合等先进技术。

根据三星电子为今年2月的ISSCC2025会议准备的演讲，其V10NAND的TLC版本可实现28Gb/mm2的存储密度、5.6Gbps的I/O引脚速率。